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RAM 选型列表

ISSI - 异步SRAM

型号		容量	组织结构	工作电压	速率 (ns)	封装	备注
5V 高速率系列	IS61C256AL	256K	32K*8	5V	10/12	SOJ28,TSOP1-28
5V 高速率系列	IS61C1024AL	1M	128K*8	5V	12	SOJ32,TSOP1-32,STSOP1-32	SOJ分两种尺寸
5V 低功耗系列	IS62C256AL	256K	32K*8	5V	25/45	SOP28,TSOP1-28
5V 低功耗系列	IS62C1024AL	1M	128K*8	5V	35	SOP32,TSOP1-32
高速率低功耗系列	IS61LV6416	1M	64K*16	3.3V	8/10/12	SOJ44,TSOP2-44,MBGA48
	IS61LV25616AL	4M	256K*16	3.3V	10/12	SOJ44,TSOP2-44,LQFP44,MBGA48
	IS61LV5128AL	4M	512K*8	3.3V	8/10/12	SOJ36,TSOP2-44,MBGA36
	IS61LV51216	8M	512K*16	3.3V	8/10/12	TSOP2-44,MBGA48
PowerSaver 低功耗系列	IS62LV256AL	256K	32K*8	3.3V	20/45	SOJ28,SOP28,TSOP1-28
	IS62WV1288BLL	1M	128K*8	2.5-3.6V	45/55	SOP32,TSOP1-32,STSOP1-32,MBGA36
	IS62WV12816BLL	2M	128K*16	2.5-3.6V	45/55/70	MBGA48,TSOP2-44	2CS可选
	IS62WV2568BLL	2M	256K*8	2.5-3.6V	55/70	TSOP1-32,STSOP1-32,MBGA36
	IS62WV25616BLL	4M	256K*16	2.5-3.6V	55/70	MBGA48,TSOP2-44
	IS62WV5128BLL	4M	512K*8	2.5-3.6V	55/70	TSOP1-32,STSOP1-32,MBGA36,TSOP2-32,SOP32
	IS62WV51216BLL	8M	512K*16	2.5-3.6V	45/55	MBGA48,TSOP2-44

CYPRESS - SRAM

型号	容量	接口	工作电压	速率 (ns)	备注
CY62128B	128K*8	并口	4.5V-5.5V	70
CY62128E	128K*8	并口	4.5V-5.5V	45
CY62136V	128K*16	并口	2.7V-3.6V	55
CY62148E	512K*16	并口	4.5V-5.5V	45
CY62148EV30	512K*16	并口	2.2V-3.6V	45
CY62256	32K*8	并口	4.5V-5.5V	50/70

Micron - SDRAM

型号	容量	结构	位宽	电压	接口	备注
MT48LC64M4A2	256 Mb	4 x 16M x 4bits	4 bits	3.3 V	并行
MT48LC32M8A2	256 Mb	4 x 8M x 8bits	8 bits	3.3 V	并行
MT48LC16M16A2	256 Mb	4 x 4M x 16bits	16 bits	3.3 V	并行

Samsung - SDRAM

型号	容量	结构	位宽	电压	接口	备注
K4S560432E	256 Mb	4 x 16M x 4bits	4 bits	3.3 V	并行
K4S560832E	256 Mb	4 x 8M x 8bits	8 bits	3.3 V	并行
K4S561632E	256 Mb	4 x 4M x 16bits	16 bits	3.3 V	并行

DALLAS - NV SRAM

型号	存储类型	容量	组织结构	接口	工作电压	电压容差	速率 (ns)
DS1225Y	非易失SRAM	64K	8K*8	并口	4.5V～5.5V	5V±10%	150,170,200
DS1230Y	非易失SRAM	256K	32K*8	并口	4.5V～5.5V	5V±10%	70,85,100,120,150,200
DS1230AB	非易失SRAM	256K	32K*8	并口	4.75V～5.25V	5V±5%	70,85,100,120,150,200
DS1245AB	非易失SRAM	1M	128K*8	并口	4.75V～5.25V	5V±5%	70,85,100,120

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