ATtiny2313简介	ATtiny2313参数
ATtiny2313主要特性如下： · 使用 AVR RISC 结构 · AVR – 高性能、低功耗的RISC 结构 – 120 条指令 – 大多数指令执行时间为单个时钟周期 – 32 个8 位通用工作寄存器 – 全静态工作 – 工作于20 MHz 时性能高达20 MIPS · 数据与非易失性程序和数据存储器 – 2K字节的系统内可编程Flash 擦写寿命: 10,000 次 – 128 字节的系统内可编程EEPROM 擦写寿命: 100,000 次 – 128 字节的片内SRAM – 可以对锁定位进行编程以及实现EEPROM 数据的加密 · 外设特点 – 具有独立预分频器及比较模式的8 位定时器/ 计数器 – 具有独立预分频器及比较、捕获模式的16 位定时器/ 计数器 – 四路 PWM 通道 – 片内模拟比较器 – 具有片内振荡器的可编程看门狗定时器 – USI – 全局串行接口 – 全双工 USART · 特殊的处理器特点 – debugWIRE 片上调试 – 通过SPI 端口在系统内可编程 – 片内/ 片外中断源 – 低功耗空闲模式、掉电模式、Standby 模式 – 增强型上电复位 – 可编程的掉电检测 – 片内标定振荡器 · I/O 和封装 – 18可编程I/O 线 – 20引脚PDIP, 20 引脚 SOIC 与32 引脚MLF · 工作电压 – 1.8 - 5.5V (ATtiny2313V) – 2.7 - 5.5V (ATtiny2313) · 速度等级 – ATtiny2313V: 0 - 4 MHz @ 1.8 - 5.5V, 0 - 10 MHz @ 2.7 - 5.5V – ATtiny2313: 0 - 10 MHz @ 2.7 - 5.5V, 0 - 20 MHz @ 4.5 - 5.5V · 功耗估计 – 正常模式: 1 MHz, 1.8V: 300 μA 32 kHz, 1.8V: 20 μA ( 包括振荡器) – 掉电模式: < 0.2 μA at 1.8V	ATtiny2313存储器 　Flash ROM 　2KB 　SRAM 　128B 　SRAM 　128B 　ATtiny2313性能参数特性 　工作频率 　0-10MHz (ATtiny2313V) 　0-20MHz (ATtiny2313) 　工作电压 　1.8-5.5V (ATtiny2313V) 　2.7-5.5V (ATtiny2313) 　I/O口 　20个 　16位定时器 / 计数器 　1 　8位定时器 / 计数器 　1 　PWM 　4 　RTC 　NO 　SPI 　USI 　UART 　1 　TWI 　USI 　10位ADC 　NO 　模拟比较器 　1 　WDT 　1（带独立片内振荡器） 　外部中断 　2 　睡眠模式 　3种 　硬件乘法器 　NO 　引脚电平中断/唤醒功能 　YES 　片内振荡器 　YES 　掉电检测 　YES 　上电复位 　YES　 　ATtiny2313封装与引脚数 　PDIP 　20PIN 　SOP 　20PIN 　QFN / MLF 　32PIN 　ATtiny2313编程与调试方式 　编程方式 　ISP　IAP　H/PV 　仿真方式 　debugWIRE
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